Cadence宣布使用ARM和IBM工艺技术流片14纳米测试芯片

Cadence宣布使用ARM和IBM工艺技术流片14纳米测试芯片

　　Cadence宣布使用ARM和IBM工艺技术流片14纳米测试芯片

中山芯片设计,芯片设计第一,国产芯片创新　　设计系统公司(NASDAQ: CDNS)，日前宣布流片了一款14纳米测试Cortex-M0处理器。这次成功流片是三家技术领先企业紧密合作的结果，他们一起建立了一个产品体系，解决基于14纳米FinFET的设计流程中内在的从设计到生产的过程中出现的新挑战。

　　中山芯片设计,芯片设计第一,国产芯片创新该14纳米产品体系与芯片ARMCadenceIBM之间在14纳米及以上高级工艺节点上开发系统级芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技术以14纳米标准设计的SoC能够大幅降低功耗。

　　“这款芯片代表了高级节点工艺技术的重要里程碑，通过三家公司多名专家的密切合作实现，”Cadence硅实现部门高级副总裁Chi-Ping Hsu说，“FinFET设计为设计者们带来了巨大的优势，不过也需要高级晶圆厂的支持，还有IP与EDA技术，以应对诸多挑战。Cadence、IBMARM合作解决这些难点，并开发了一个产品体系，能够支持多样化产品设计的14纳米FinFET开发。”

　　该芯片是设计用于检验14纳米设计基础IP的建构模块。除了ARM处理器外，SRAM存储器模块和其他模块也包含其中，提供了基于FinFET的ARM Artisan?物理IP的基础IP开发所需的描述数据。

　　“每次进入更小的工艺节点都会出现新的挑战，需要SoC设计产业链上的行业领袖们深入合作，”ARM物理IP部门副总裁兼总经理 Dipesh Patel说，“在14纳米设计中，很多围绕FinFET的挑战，以及我们和Cadence与IBM的合作，主要都在于结局如何让14纳米FinFET设计更可靠而有经济可行性。”

　　“此14纳米测试芯片的流片是我们用FinFET在SOI上利用其内置电解质隔离法获得的重大进展，”IBM半导体研发中心副总裁Gary Patton说，“实际上，Cadence与ARM已经在设计解决方案上进行合作，成功实现了这块基于IBM FinFET技术的测试芯片的流片。我们将继续合作，在14纳米及以上工艺全面应用的SOI FinFET设备中实现卓越的功耗、性能与多样性控制。”