中芯国际：一部新世纪中国芯片制造奋斗史

中芯国际：一部新世纪中国芯片制造奋斗史

　　中芯国际：一部新世纪中国芯片制造奋斗史

全球芯片制造商,4nm制造芯片,芯片制造产业链　　在 2020 年的 A 股市场，中芯国际（SH688981）是最受瞩目的上市公司之一。当年 6 月 1 日，中芯国际 IPO 申请获受理，仅一个月时间便注册生效，7 月 16 日成功登陆科创板。中芯国际发行价 27.46 元 / 股，上市当日以 95 元 / 股价格开盘，市值突破 6000 亿元。

　　全球芯片制造商,4nm制造芯片,芯片制造产业链在资本市场，中芯国际备受追捧，一时风头无两。在技术层面，中芯国际于 2019 年量产 14 纳米 FinFET 工艺，成为全球少数掌握 FinFET 技术的晶圆制造厂商。

　　坐拥资本市场支持，技术上又有联席 CEO 梁孟松坐镇，中芯国际雄心勃勃开始对行业领头羊台积电、三星发起 跳代 式追赶。彼时，在梁孟松带领下，中芯国际着手研发的 N+1、N+2 被业内认为接近于 8 纳米、7 纳米。在格罗方德、联电放弃攻坚 7 纳米后，中芯国际几乎成为晶圆代工领域先进制程的唯一追赶者。

　　由于受到美国无理打压，中芯国际先进工艺的研发、量产遇到困难，公司公告中对先进工艺的披露也越来越少。不过，先进工艺只是广阔半导体市场的一部分，中芯国际在成熟工艺、特色工艺上仍有长足发展空间。

　　2000 年 4 月，中芯国际在上海浦东正式成立。当年 8 月，中芯国际厂房开始在张江建设。

　　中芯国际创业前不久，正值美股科网股泡沫高峰期。2000 年 3 月，费城半导体指数一度超过 1300 点。然而，自中芯国际成立的 4 月起，费城半导体指数一路向下，到 2002 年 10 月甚至跌至 200 点左右。作为全球半导体市场的风向标，费城半导体指数大幅下跌，无疑标志着半导体行业陷入低谷。

　　在国内产业配套稀缺，行业又处于低谷期之际，中芯国际逆势而上，迅速建设多座晶圆工厂。2001 年，中芯国际上海 8 英寸生产基地建设完成；2002 年，中芯国际北京 12 英寸生产基地奠基，并实现 0.18 微米的全面技术认证和量产；2003 年，中芯国际收购天津摩托罗拉晶圆厂并成立中芯天津。此间，中芯国际陆续实现 0.35 微米～0.13 微米的全面技术认证与量产。

　　2004 年，中芯国际首次实现盈利，并于港交所与纽交所上市。此时，中芯国际已经是国际晶圆代工市场不可忽视的力量。

　　取得成绩的同时，专利诉讼也随之而来。2003 年 12 月，台积电提起诉讼，称中芯国际侵犯其若干专利。2005 年 1 月，中芯国际与台积电一度就此达成和解。

　　此后，中芯国际发展势头不减。2005 年，台积电试产 65 纳米制程，2006 年第四季度开始量产；中芯国际也于 2007 年掌握了 65 纳米制程，并迅速布局 45 纳米制程；2007 年 12 月，中芯国际与 IBM 签订 45 纳米 Bulk COMS 技术许可协定。

　　2006 年 8 月，台积电再度发起诉讼，理由是中芯国际违反和解协议。2009 年，中芯国际与台积电达成和解。但此后，创始人张汝京离职，随后的 王杨之争 让中芯国际错过发展机遇。

　　2017 年 10 月，梁孟松加入中芯国际。自此，中芯国际迎来工艺制程 跳代 式发展。比如越过 22 纳米，从 28 纳米直接进入 14 纳米。2019 年，中芯国际取得重大进展，实现 14 纳米 FinFET 量产，迈入了 FinFET 时代。彼时，中芯国际进一步 跳代 ，跳过 10 纳米，直接进入 8 纳米、7 纳米。此前，有行业人士在接受《每日经济新闻》记者采访时曾透露，中芯国际的 N+1、N+2 就相当于 8 纳米、7 纳米。

　　然而好景不长，自 2020 年 10 月以来，中芯国际遭遇美国多轮所谓的 制裁 。为此，中芯国际战略方向已从先进工艺制程转向成熟工艺、特色工艺。公司陆续在北京、上海、深圳、天津兴建 12 英寸晶圆工厂。这些工厂的工艺制程均对准 28 纳米及以上，并不在美国所谓的 制裁 范围内。

　　中芯国际登陆科创板时正是芯片行业高景气时期。2020 年 7 月，中芯国际登陆科创板，而自 2020 年下半年以来，半导体行业陷入 缺芯潮 。因此，尽管遭遇困难，中芯国际还是交出了多份靓丽的业绩 答卷 。

　　不过，进入 2022 年，芯片行业供求关系逆转，除了汽车电子等细分领域外，半导体行业普遍由 缺芯潮 转入 砍单潮 ，2022 年下半年下行趋势尤为明显。在此背景下，中芯国际产能利用率逐渐下降。2022 年一季度，其产能利用率尚且高达 100.4%，二季度下降至 97.1%，三季度进一步下降至 92.1%。

　　一方面，产能利用率持续下降，另一方面，四大 12 英寸晶圆厂正在建设。是否有足够大的市场来填补中芯国际待投产产能，尚需进一步观察。

　　此前，中芯国际的崛起就是在行业低谷期逆势扩张。2000 年～2002 年，费城半导体指数连续三年下跌，中芯国际逆势投建工厂，异军突起。如今，中芯国际在行业低谷期逆势扩张产能的剧情能否重演，值得期待。

　　注：FinFET，Fin Field-Effect Transistor 的简称，指鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。