长电科技：已实现 4nm 工艺制程手机芯片封装

长电科技：已实现 4nm 工艺制程手机芯片封装

　　长电科技：已实现 4nm 工艺制程手机芯片封装

存储芯片新技术,新型芯片技术,芯片洁净室技术　　IT之家 12 月 24 日消息，长电科技近期在互动平台表示，公司已经实现 4nm 工艺制程手机芯片的封装。公司在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。公司的全面晶圆级技术平台为客户提供丰富多样的选择，帮助客户将 2.5D 和 3D 等各类先进封装集成到智能手机和平板电脑等高级移动设备中，帮助不同客户实现更高的集成度、模块的功能和更小的尺寸的封装技术要求。在提升散热性能的技术方案中，公司和业界客户一起提倡芯片、封装及系统协同设计以实现成本和性能的共同最优化。

　　存储芯片新技术,新型芯片技术,芯片洁净室技术在成品制造技术上，公司将芯片背面金属化技术应用到先进封装中可以显著提升系统导热性。长电科技开发的背面金属化技术不仅可以改善封装散热，同时能够根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力。公司已将芯片背面金属化技术及其制造工艺应用到大批量量产产线中去。

　　长电科技表示，公司面向高密度多维异构集成应用的 XDFOI 系列工艺已经按计划在本月进入稳定量产阶段，为国内外客户提供高密度扇出型晶圆级封装服务。公司将紧跟市场步伐，推进相关产能建设，增强技术领先力，为客户提供多样化的多维异构产品封装解决方案。

　　IT之家获悉，长电科技 XDFOI 系列技术可以为高性能计算应用提供多层极高密度走线和极窄节距凸块互联，并可集成多颗芯片、高带宽内存和无源器件，在优化成本的同时实现更好的性能及可靠性。