纳芯微推出高精度、高带宽、宽灵敏度范围的线性霍尔效应电流传感器芯片NSM203x系列

纳芯微推出高精度、高带宽、宽灵敏度范围的线性霍尔效应电流传感器芯片NSM203x系列

　　纳芯微推出高精度、高带宽、宽灵敏度范围的线性霍尔效应电流传感器芯片NSM203x系列

芯片封装ic,河北封装芯片胶,芯片级封装特点　　近日，纳芯微 (NOVOSENSE) 推出全新NSM203x系列线性霍尔效应电流传感器芯片，为基于聚磁环的大量程电流检测提供高精度的解决方案，可被广泛应用于电动汽车电驱系统的相电流检测、工业系统中例如工业电机控制和光伏逆变器等电流模块的大电流检测。

　　芯片封装ic,河北封装芯片胶,芯片级封装特点NSM203x产品系列包含了5个产品型号，即NSM2031、NSM2032、NSM2033、NSM2034和NSM2035。考虑过流保护输出、参考电压输出、存储器类型（单次可编程OTP、可重复编程MTP）、封装形式等多个维度，NSM203x系列可以全面覆盖各个应用场景下的不同系统需求。各产品均有车规和工规型号，其中车规级别产品满足AEC-Q100 Grade 0的可靠性要求，可在-40~150℃的严苛环境下胜任工作。

　　NSM203x系列实现了业内领先的高精度与低温漂性能，部分型号在全温度范围内的灵敏度误差小于±1%，零点误差小于±5mV，非线%。

　　为了支持电控系统的低延时、低失真的电流采样需求以及快速流保护，纳芯微的信号调理电路设计专利可以在保证低噪声的同时，实现了业内领先的高带宽与低响应时间。NSM203x分别有240kHz带宽/2.2μs响应时间, 400kHz带宽/1.5μs响应时间的型号，过流保护时间快至1.5μs，大大降低了系统过载、短路等异常情况下造成重大伤害的风险。

　　NSM203x系列支持比例输出或固定输出，比例输出版本输出信号（灵敏度、零点电压）随供电电压的变化而等比例变化；而固定输出的版本输出不随着供电电压的变化而变化，提高了在电源扰动的应用场景中的输出稳定性。

　　该系列产品支持较宽的灵敏度编程范围，0.4~30 mV/G，对应磁感应强度范围 ±150~±4500 Gauss，大大降低了用户的磁芯设计难度、提高了竞品替代的便利性。

　　NSM203x全系列产品支持3.3V版本与5V版本，以支持不同电压等级的控制系统。同时，该产品系列支持低压编程，在5V供电条件下采用纳芯微拥有专利的单线通信协议(OWI协议)进行OTP或MTP的编写，不需要高压，降低了对板上共电源的周边元器件的影响。

　　TO94（X）封装，分为厚款封装（1.55mm）与薄款封装（1.00mm），每种封装均可提供多种引脚弯折形式，包括不同高度的L形弯折与V形弯折，支持PCB表贴以及客户不同的结构设计，是电流传感模块厂商和集成式电驱系统设计的理想选择。

　　NSM203x部分产品型号支持过压保护、欠压保护以及开路诊断，当上述系统异常出现以后，产品输出转变为高阻抗状态，客户可通过配合外部的上拉电阻或者下拉电阻实现诊断高或者诊断低的目的，以实现系统级更高的功能安全。

　　该产品系列具有业界领先的ESD性能，HBM模式高达±8kV，CDM模式高达±2kV，提高了在组件的生产制造与终端客户应用中的鲁棒性。

　　可选参考电压输出、过流保护输出，用户可配置过流保护输出阈值为电流量程的 50% 至 200%

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