英特尔研发园区回归计划的关键获得 3b 美元的提振

英特尔研发园区回归计划的关键获得 3b 美元的提振

　　英特尔研发园区回归计划的关键获得 3b 美元的提振

芯片封装材质,芯片封装腐蚀,封装芯片的目的　　英特尔已正式启动耗资 30 亿美元的俄勒冈州研发园区新扩建项目，这是该芯片制造商计划以领先芯片技术超越竞争对手的关键。

　　芯片封装材质,芯片封装腐蚀,封装芯片的目的这家半导体巨头周一标志着其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的 D1X 研发制造园区的最新扩建盛大开幕。该站点是该公司 10,000 人技术开发团队的所在地，该团队负责创建新的晶体管架构、晶圆工艺和封装技术，作为英特尔 CPU 和其他硅的基础。

　　扩建包括额外的 270,000 平方英尺的洁净室空间，用于开发新一代工艺技术，这将使芯片制造商有更大的能力同时开发多种工艺技术。

　　近年来，由于英特尔在过去几年中10nm和7nm 工艺的制造问题，英特尔已经落后于台积电等代工厂以及 AMD 和 Nvidia 等依赖后者的芯片设计师。

　　当 Pat Gelsinger 去年成为英特尔的首席执行官时，他发誓要解决公司的问题，并重新加快引入新芯片工艺的步伐，在这种情况下，将在四年内交付五个节点。从去年开始的英特尔 10nm 增强型 SuperFin 节点的新名称 Intel 7 开始，到 2024 年下半年准备制造的 Intel 18A 结束。

　　最后一个事实代表了英特尔的一项重要更新。该公司去年夏天公布其新工艺路线 年初准备就绪，这意味着该公司至少提前了几个月。Gelsinger 在